半导体制造的前道工序正遭遇一系列新的物理极限。
3D NAND闪存堆叠层数加速向更高层数冲刺，DRAM制程持续微缩，这些极限不再只是设计层面的挑战，而是直接转化为对刻蚀精度、薄膜均匀性和材料替代的硬性要求，进而倒逼设备供应商在极短时间内完成技术迭代。
8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在无锡举行。中微公司（688012.SH）在展会期间一口气推出六款全新自主研发的高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键赛道。
值得注意的是，中微这次瞄准了当前存储芯片制造中三个最为迫切的工艺瓶颈：极高深宽比刻蚀的精度与效率、超高层堆叠下的薄膜沉积产能天花板，以及300层以上3D NAND绕不开的“钨转钼”材料革命。
突破芯片制造关键环节
3D NAND的竞争本质上是一场“层数竞赛”。堆叠层数越高，存储密度越大，但代价是刻蚀工艺的难度呈指数级上升。这对刻蚀设备提出了极高的高深宽比刻蚀能力要求，即精确刻蚀出深度达数微米、孔径仅几十纳米的通道孔或栅线缝隙结构，并保证优异的垂直度、均匀性和侧壁形貌。
公开参数显示，中微公司的Primo XD-RIE™刻蚀机支持70:1到90:1的极高深宽比刻蚀。其技术改进集中在几个工程化细节：设备采用耐低温、高击穿电压的高性能静电吸盘；搭载4区磁线圈聚焦的等离子体分布调节组件与等离子体边缘鞘层主动调节技术；针对强腐蚀性气体重新设计腔体结构。
随着堆叠层数从数十层逐步增长至上百层甚至超过300层，刻蚀设备在芯片制造设备中的占比也持续上升。
东海证券研报指出，以某类3D NAND技术路线为例，在产能设定为150k片/月的产线中，堆叠层数从32层增至128层时，刻蚀设备所占比例从34.90%提升至48.40%。中微的这次尝试为国内存储厂商在核心刻蚀环节提供了可对标国际一流水平的可选方案。
与刻蚀并行的另一大瓶颈是薄膜沉积。中微公司此次推出了四款有专利保护的全新自研设备，覆盖了高端三维存储与先进逻辑芯片的核心薄膜工艺环节，进一步丰富了中微公司的薄膜产品谱系，也在一定程度上缓解了国内相关高端设备的供给紧张局面。
其中的12英寸原子层沉积金属钼设备Prefima Unicore™ AM，面向三维超高堆叠场景下的字线填充工艺，是未来高端存储芯片走向更高层数时绕不开的关键装备。
3D NAND堆叠层数突破300层后，传统钨字线在电阻、氟基前驱体和深孔填充三方面会触及物理极限：钨电阻随字线宽度微缩和长度增加而飙升，拖慢读写速度；钨工艺依赖氟基化学，易引发器件漏电。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，正成为300层以上3D NAND的“必选项”。
此外，中微公司推出金属硅化物集成系统，面向先进逻辑与存储器件在金半接触、保护层等环节的制造需求。同步推出的高温生长设备面向碳化硅外延环节，外延生长是碳化硅功率器件制造的最核心环节。
研发周期缩短，半年内密集上新
元股证券:ygzq.hk这已经是中微半年内第二次密集推新品。
财报显示，高频发布设备的背后，中微2026年上半年研发投入约20.41亿元，同比增长36.89%，研发投入占营业收入比例约为30.52%。截至2026年6月底，中微公司已开发出54种高端半导体设备，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。
配资排名公司半导体设备的技术水平直接决定了芯片制造的先进程度，中微公司新产品开发周期已从过去三至五年缩短至两年以内。公司董事长兼总经理尹志尧曾在8月初表示，公司在开发新产品时，仅需针对性开发30%—40%特定的部分，剩余60%—70%的通用技术、结构组件均被模块化，达到成熟、可复用的状态。
9月1日，中微公司资深副总裁丛海表示：“这次发布的几款产品覆盖了从先进逻辑到先进存储再到先进封装和第三代半导体的需求，是中微公司向平台化的设备公司迈出的坚实一步。未来五年，我们会采用自主研发和外延并购的方式，力争去覆盖集成电路大约60%的设备品类，以及先进封装70%的设备品类。”
根据国际半导体产业协会（SEMI）2026年年中预测，全球半导体设备市场销售额2026年将增长23.2%，达到1659亿美元基金投资信息中心，到2028年将创下历史新高，达到2295亿美元。AI基础设施扩展与先进存储技术投资成为主要驱动力。
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